Сегодня компания Qualcomm анонсировала первый в мире процессор с 10-нанометровой топологией, предназначенный для использования в серверах — Centriq 2400. Он оснащен 48 кастомными (разработанными непосредственно Qualcomm) ядрами с архитектурой ARMv8 и поступит в продажу во 2-й половине следующего года. Таким образом, это уже второй, после анонсированного в ноябре Snapdragon 835, процессор, созданный на базе 10-нанометрового техпроцесса (понятия, напомню, довольно условного).
Что касается Snapdragon 835, то он напомнил о себе опубликованными на сайте GFXBench данными о производительности некоего устройства c 5.9-дюймовый Quad HD дисплеем, 4 Гб ОЗУ, 64 Гб флеш-памяти, 20-мегапиксельной и 13-мегапиксельной камерами, Android 7.0 — а главное процессором с 8-ядерным ЦПУ (с частотой ядер до 2.2 ГГц) и ГПУ Adreno 540. С учетом того, что Snapdragon 820/821 оснащен Adreno 530, речь по-видимому идет о Snapdragon 835. Согласно опубликованным данным, производительность последнего выглядит так:
| Модель | ? | Apple iPhone 7 Plus | OnePlus 3T | Meizu PRO 6 Plus |
| Процессор | Snapdragon 835 | Apple A10 | Snapdragon 821 | Exynos 8990 |
| Manhattan 3.1 (off-screen) | 41.5 | 31.8 | 32.9 | 21.8 |
| Manhattan (off-screen) | 61.9 | 45.0 | 48.9 | 28.5 |
| T-Rex (off-screen) | 115.2 | 99.3 | 94.0 | 71.9 |
Если эти данные соответствуют действительности, и мы действительно имеем дело со Snapdragon 835, то он по сравнению с предшественником, Snapdragon 821, он показывает 23-26% прирост графического быстродействия. Правда, в этой таблице не учтен т.н. троттлинг, когда во избежание перегрева производительность процессора искусственно снижается. По данным наших коллег из AnandTech, в Manhattan 3.1 через час нагрузки скорость Apple A10 составляет 25-30 к/с, а Snapdragon 821 — 22 к/с (согласно сайту GFXBench — 31.6 к/с).
Напомню, что первые смартфоны с процессором Snapdragon 835 ожидаются в начале 2017. Одним из первых станет, по всей видимости, Galaxy S8.
Свежие комментарии