Samsung объявила о начале массового производства первой в мире 3-битной флэш-памяти 3D V-NAND. Таким образом компания предоставит пользователям более доступный, прочный твердотельный накопитель с улучшенной производительностью.
Samsung впервые реализовала технологию 3D V-NAND в этом году в устройстве SSD 850 Pro. 3D V-NAND преодолевает ограничения существующей технологии NAND путем укладки ячеек памяти друг на друга – обычные типы памяти ТСХ и MLC NAND имеют плоскую архитектуру. У данной технологии есть несколько преимуществ. К примеру, благодаря ей, Samsung смогла создать чипы с более высокой плотностью памяти, которые являются не только более быстрыми, но и более долговременными.
Новый 3-битный накопитель 3D V-NAND предоставляет 128 ГБ памяти для каждого чипа. Более того, он предполагает 32 слоя ячеек NAND, уложенных одна на другую. Для сравнения – в SSD 850 Pro задействовано 24 слоя. Это позволило Samsung существенно увеличить эффективность и производительность памяти, а при совместном использовании с более ранним 10-нм 3-битным плоским флэш-накопителем NAND, продуктивность новинки удваивается.
Пока неизвестно, когда новая память появится на рынке. Однако учитывая, что SSD 850 Evo была представлена на мероприятии IFA 2014 в начале сентября, можно предположить, что она поступит в продажу к концу нынешнего или началу следующего года.
Свежие комментарии