В скором времени смартфоны смогут хранить терабайты информации

Исследователи из Университета Райса (Хьюстон, США) разработали новый вид резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM). Примечательно, что устройство очень удобное для производства и подходит для ежедневно используемых гаджетов.

Хитрость заключается в использовании пористого оксида кремния вместо таких металлов, как золото или платина.

Использование кремния не только облегчает работу производителям, уже имевшим дело с этим материалом, но также требует гораздо меньше мощности, чем предыдущие технологии. Кроме того, срок службы устройств из кремния довольно большой.

Новинка является более плотной, чем предыдущие версии RRAM, и позволяет хранить в одной ячейке 9 бит информации. Напомним, что в настоящее время флэш-накопители могут хранить в одной ячейке до 3 бит.

Таким образом, возможно создать чип оперативной памяти, предоставляющий объем памяти, характерный для твердотельных накопителей (SSD). Впервые о такой возможности упомянули представители компании Crossbar, заявлявшие о возможности хранения 1 ТБ данных на устройстве размером с почтовую марку.

Это идеально подходит для планшетов и смартфонов, которые в будущем могут получить большой объем памяти. Вполне вероятно, что это случится уже довольно скоро.

Фото: dailytechinfo.org