На днях состоялся долгожданный анонс очередного топового мобильного процессора Qualcomm — Snapdragon 835. Процессор создан на базе 10-нанометрового техпроцесса FinFET и позиционируется в качестве приемника нынешнего 14-нанометрового Snapdragon 820/21. Snapdragon 835 уже выпускается на заводах Samsung, а его появление в массовых устройствах запланировано на первую половину 2017 года.
К сожалению, пока из характеристик нового процессора сообщается лишь о поддержке технологии быстрой зарядки Quick Charge 4, которая на 20% быстрее и на 30% эффективнее Quick Charge 3.0. За пять минут она позволит зарядить смартфон на 5 часов, а за 15 минут — на 50%. Qualcomm также повторяет заявленные Samsung преимущества её 10-нанометрового техпроцесса — 27% прирост производительности или 40% снижение энергопотребления.
Любопытно, что новый Snapdragon получил номер 835 — вместо казалось бы более логичного 830 (следующего за Snapdragon 800, 801, 805, 808, 810, 820 и 821). Возможно это связано с планами Qualcomm выпустить в будущем «облегченную» версию Snapdragon 835 или даже его аналог на уже зарекомендовавшем себя 14-нанометровом техпроцессе.
Можно предположить, что первым или одним из первых Snapdragon 835 получит очередной флагаманский смартфон Samsung, Galaxy S8, чья презентация ожидается в феврале-марте следующего года.
Свежие комментарии